碳化硅晶片前景值得期待

　　以碳化硅为代表的第三代半导体材料是继硅材料之后最有前景的半导体材料之一，与硅材料相比，以碳化硅晶片为衬底制造的半导体器件具备高功率、耐高压/高温、高频、低能耗、抗辐射能力强等优点，可广泛应用于半导体功率器件和5G通讯等领域。碳化硅晶片前景广阔。

　　碳化硅晶片需求旺盛，供给相对不足。随着近年来第三代半导体材料在新能源汽车、5G通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等领域的广泛应用，全球对以碳化硅晶片为衬底的器件需求持续增长。目前能够批量供应高品质碳化硅单晶片的厂商数量有限，主要集中在美国、德国、日本和中国等国家的少数企业。由于碳化硅晶片制造难度较大，行业的整体生产规模有限，目前无法满足下游市场需求。CREE公司、II-VI公司等全球各大碳化硅晶片制造企业均安排了较大规模的产能扩张计划，但短期内碳化硅晶片仍呈现供不应求的局面，下游前景广阔。